2SCR502E3HZGTL 与 2SCR502E3TL 区别
| 型号 | 2SCR502E3HZGTL | 2SCR502E3TL | ||||||||||||||
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| 唯样编号 | A33-2SCR502E3HZGTL | A33-2SCR502E3TL-1 | ||||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor | ||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 | ||||||||||||||
| 描述 | NPN, SOT-416, 30V 500mA, General Purpose Amplification Transistor for Automotive | NPN, SOT-416, 30V 0.5A, General Purpose Transistor | ||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||
| 功率耗散Pd | 150mW | - | ||||||||||||||
| 特征频率fT | 360MHz | - | ||||||||||||||
| 产品特性 | 车规 | - | ||||||||||||||
| 集电极-射极饱和电压 | 300mV | - | ||||||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-416 | EMT3 | ||||||||||||||
| VCBO | 30V | - | ||||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | - | ||||||||||||||
| 集电极电流Ic | 0.5A | - | ||||||||||||||
| VEBO | 6V | - | ||||||||||||||
| 集电极-发射极Vceo | 30V | - | ||||||||||||||
| 直流电流增益hFE | 200 | - | ||||||||||||||
| 晶体管类型 | NPN | NPN | ||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||
| 库存 | 2,716 | 2,896 | ||||||||||||||
| 工厂交货期 | 28 - 35天 | 28 - 35天 | ||||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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2SCR502E3HZGTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-416 150mW 30V 0.5A 车规 NPN |
￥0.9845
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2,716 | 当前型号 | ||||||||||||
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2SCR502E3TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
EMT3 NPN |
￥1.2114
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3,000 | 对比 | ||||||||||||
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2SCR502E3TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
EMT3 NPN |
￥0.6229
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2,896 | 对比 | ||||||||||||
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2SCR502E3TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
EMT3 NPN |
暂无价格 | 200 | 对比 | ||||||||||||
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2SCR502E3TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
EMT3 NPN |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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