2SCR562F3TR 与 DXTN5820DFDB-7 区别
| 型号 | 2SCR562F3TR | DXTN5820DFDB-7 | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A33-2SCR562F3TR-0 | A36-DXTN5820DFDB-7 | ||||||||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Diodes Incorporated | ||||||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||||||
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 | ||||||||||||||||||
| 描述 | SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020- | |||||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||||||
| 封装/外壳 | DFN2020-3S | - | ||||||||||||||||||
| 功率耗散Pd | 1W | - | ||||||||||||||||||
| VCBO | 30V | - | ||||||||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | - | ||||||||||||||||||
| 集电极电流Ic | 6A | - | ||||||||||||||||||
| 特征频率fT | 270MHz | - | ||||||||||||||||||
| VEBO | 6V | - | ||||||||||||||||||
| 集电极-射极饱和电压 | 220mV | - | ||||||||||||||||||
| 集电极-发射极Vceo | 30V | - | ||||||||||||||||||
| 直流电流增益hFE | 200 | - | ||||||||||||||||||
| 晶体管类型 | NPN | - | ||||||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||||||
| 库存 | 2,750 | 2,949 | ||||||||||||||||||
| 工厂交货期 | 28 - 35天 | 3 - 15天 | ||||||||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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2SCR562F3TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
DFN2020-3S 1W 30V 6A NPN |
￥3.1335
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2,750 | 当前型号 | ||||||||||||
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74LVCH162373ADGG,1 | Nexperia | 数据手册 | 锁存器 |
SOT362 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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DXTN5820DFDB-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
￥1.807
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2,949 | 对比 | |||||||||||||
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PBSS4630PA,115 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-1061 2.1W 30V 6A NPN |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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