DTA114GUAT106 与 PDTA114EU,115 区别
| 型号 | DTA114GUAT106 | PDTA114EU,115 | ||||||
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| 唯样编号 | A33-DTA114GUAT106 | A-PDTA114EU,115 | ||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Nexperia | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 | ||||||
| 描述 | PDTA114E Series 50 V 100 mA SMT PNP Resistor-Equipped Transistor - SOT-323 | |||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| 功率耗散Pd | 200mW | 200mW | ||||||
| 特征频率fT | 250MHz | 180MHz | ||||||
| 产品特性 | - | 带阻/预偏置 | ||||||
| 集电极-射极饱和电压 | -300mV | -150mV | ||||||
| 封装/外壳 | SOT-323 | SOT-323 | ||||||
| VCBO | -50V | -50V | ||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -65°C~150°C | ||||||
| VEBO | -5V | -10V | ||||||
| 尺寸 | - | 2*1.25*0.95 | ||||||
| 集电极连续电流 | -100mA | -100mA | ||||||
| 直流电流增益hFE | 30 | 30 | ||||||
| 集电极-发射极最大电压VCEO | -50V | -50V | ||||||
| 晶体管类型 | PNP | PNP | ||||||
| R1 | 10K Ohms | - | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 2,890 | 220 | ||||||
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 3 - 5天 | ||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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DTA114GUAT106 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-323 200mW -50V -100mA -300mV 30 250MHz PNP |
￥0.2703
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2,890 | 当前型号 | ||||||||||
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RN2312(TE85L,F) | Toshiba | 数据手册 | BJT三极管 |
SC-70 PNP 带阻/预偏置 |
￥0.4114
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3,000 | 对比 | ||||||||||
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RN2310(TE85L,F) | Toshiba | 数据手册 | BJT三极管 |
SC-70 PNP 带阻/预偏置 |
￥0.4114
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2,869 | 对比 | ||||||||||
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RN2311(TE85L,F) | Toshiba | 数据手册 | BJT三极管 |
SC-70 PNP 带阻/预偏置 |
￥0.4114
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2,740 | 对比 | ||||||||||
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RN2313(TE85L,F) | Toshiba | 数据手册 | BJT三极管 |
SC-70 PNP 带阻/预偏置 |
￥0.4114
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2,650 | 对比 | ||||||||||
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PDTA114EU,115 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-323 200mW -50V -100mA -150mV 30 180MHz PNP 带阻/预偏置 |
暂无价格 | 220 | 对比 |
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