DTB114ECT116 与 PDTB114ETR 区别
| 型号 | DTB114ECT116 | PDTB114ETR | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A33-DTB114ECT116-1 | A-PDTB114ETR | ||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Nexperia | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 | ||||||||
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 0.46W | |||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 电阻器 - 发射极基底（R2） | 10 kOhms | - | ||||||||
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 500nA | - | ||||||||
| 功率耗散Pd | - | 460mW | ||||||||
| 功率 | 1/5W | - | ||||||||
| 电阻器 - 基底（R1） | 10 kOhms | - | ||||||||
| 特征频率fT | - | 140MHz | ||||||||
| 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） | 56 @ 50mA,5V | - | ||||||||
| 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） | 300mV @ 2.5mA,50mA | - | ||||||||
| 产品特性 | 带阻/预偏置 | 车规 | ||||||||
| 集电极-射极饱和电压 | - | -100mV | ||||||||
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V | - | ||||||||
| 电流 - 集电极（Ic）（最大值） | 500mA | - | ||||||||
| 封装/外壳 | SST3 | SOT-23 | ||||||||
| VCBO | - | -50V | ||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~175°C | ||||||||
| VEBO | - | -10V | ||||||||
| 尺寸 | - | 2.9*1.3*1 | ||||||||
| 频率 - 跃迁 | 200MHz | - | ||||||||
| 集电极连续电流 | - | -500mA | ||||||||
| 直流电流增益hFE | - | 70 | ||||||||
| 集电极-发射极最大电压VCEO | - | -50V | ||||||||
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 | PNP | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 2,700 | 0 | ||||||||
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 56 - 70天 | ||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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DTB114ECT116 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
PNP - 预偏压 SST3 带阻/预偏置 |
￥1.2937
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2,700 | 当前型号 | ||||||||||
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PDTB114ETR | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-23 460mW -50V -500mA -100mV 70 140MHz 车规 PNP |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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BCR 583 E6327 | Infineon | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-23 330mW PNP -50V -500mA -300mV 70 150MHz 车规-带阻/预偏置 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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