DTC114EETL 与 DDTC114TE-7-F 区别
| 型号 | DTC114EETL | DDTC114TE-7-F | ||||||||||||
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| 唯样编号 | A33-DTC114EETL-1 | A36-DDTC114TE-7-F | ||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Diodes Incorporated | ||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 | ||||||||||||
| 描述 | DTC114EE Series EMT-3 50 V 100 mA NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor | TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523 | ||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 不符合RoHs | ||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||
| R2 | 10K Ohms | - | ||||||||||||
| 功率耗散Pd | 150mW | - | ||||||||||||
| 特征频率fT | 250MHz | - | ||||||||||||
| 产品特性 | - | 带阻/预偏置 | ||||||||||||
| 集电极-射极饱和电压 | 300mV | - | ||||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-416 | - | ||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | - | ||||||||||||
| 集电极电流Ic | 50mA | - | ||||||||||||
| 集电极-发射极Vceo | 50V | - | ||||||||||||
| 直流电流增益hFE | 30 | - | ||||||||||||
| 晶体管类型 | NPN | - | ||||||||||||
| R1 | 10K Ohms | - | ||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||
| 库存 | 5,089 | 1,919 | ||||||||||||
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 3 - 15天 | ||||||||||||
| 单价(含税) |
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| 购买数量 | ||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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DTC114EETL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-416 150mW 50V 50mA NPN |
¥0.5967
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5,089 | 当前型号 | ||||||||||
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DDTC144EE-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-523 150mW 50V 100mA NPN |
¥0.246
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3,000 | 对比 | ||||||||||
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DDTC114EE-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-523 150mW 50V 50mA NPN |
¥0.3822
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2,999 | 对比 | ||||||||||
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DDTC143EE-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-523 150mW 50V 100mA NPN |
¥0.6391
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2,679 | 对比 | ||||||||||
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DDTC114TE-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
带阻/预偏置 |
¥0.2048
|
1,919 | 对比 | ||||||||||
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DDTC114EE-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-523 150mW 50V 50mA NPN |
暂无价格 | 132 | 对比 |