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首页 > 商品目录 > > > DTD114ECT116代替型号比较

DTD114ECT116  与  PDTD114ETR  区别

型号 DTD114ECT116 PDTD114ETR
唯样编号 A33-DTD114ECT116-3 A36-PDTD114ETR
制造商 ROHM Semiconductor Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 BJT三极管 BJT三极管
描述 TRANS PREBIAS NPN 0.425W
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
电阻器 - 发射极基底(R2) 10 kOhms -
电流 - 集电极截止(最大值) 500nA -
功率耗散Pd - 320mW
功率 1/5W -
电阻器 - 基底(R1) 10 kOhms -
特征频率fT - 225MHz
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 56 @ 50mA,5V -
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 2.5mA,50mA -
产品特性 带阻/预偏置 车规
集电极-射极饱和电压 - 100mV
电压 - 集射极击穿(最大值) 50V -
电流 - 集电极(Ic)(最大值) 500mA -
封装/外壳 SST3 SOT-23
VCBO - 50V
工作温度 - -65°C~175°C
VEBO - 10V
尺寸 - 2.9*1.3*1
频率 - 跃迁 200MHz -
集电极连续电流 - 500mA
直流电流增益hFE - 70
集电极-发射极最大电压VCEO - 50V
晶体管类型 NPN - 预偏压 NPN
库存与单价
库存 9,000 379
工厂交货期 21 - 28天 3 - 15天
单价(含税)
110+ :  ¥1.4278
300+ :  ¥0.9248
500+ :  ¥0.7956
1,000+ :  ¥0.7061
4,000+ :  ¥0.6265
5,000+ :  ¥0.6166
100+ :  ¥0.5544
200+ :  ¥0.4225
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DTD114ECT116 ROHM Semiconductor  数据手册 BJT三极管

NPN - 预偏压 SST3 带阻/预偏置

¥1.4278 

阶梯数 价格
110: ¥1.4278
300: ¥0.9248
500: ¥0.7956
1,000: ¥0.7061
4,000: ¥0.6265
5,000: ¥0.6166
9,000 当前型号
PDTD114ETR Nexperia  数据手册 BJT三极管

SOT-23 320mW 50V 500mA 100mV 70 225MHz 车规 NPN

¥0.5544 

阶梯数 价格
100: ¥0.5544
200: ¥0.4225
379 对比
PDTD114ETR Nexperia  数据手册 BJT三极管

SOT-23 320mW 50V 500mA 100mV 70 225MHz 车规 NPN

暂无价格 100 对比
BCR 533 E6327 Infineon  数据手册 BJT三极管

SOT-23 330mW 50V 500mA 300mV 70 100MHz NPN 带阻/预偏置

暂无价格 0 对比
PDTD114ETVL Nexperia  数据手册 BJT三极管

SOT-23 320mW 50V 500mA 100mV 70 225MHz 车规 NPN

暂无价格 0 对比
PDTD114ETR Nexperia  数据手册 BJT三极管

SOT-23 320mW 50V 500mA 100mV 70 225MHz 车规 NPN

暂无价格 0 对比

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