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EMH3T2R  与  PEMD6,115  区别

型号 EMH3T2R PEMD6,115
唯样编号 A33-EMH3T2R-1 A-PEMD6,115
制造商 ROHM Semiconductor Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 BJT三极管 BJT三极管
描述 TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT666
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd 150mW 300mW
特征频率fT 250MHz -
集电极-射极饱和电压 300mV 100mV
封装/外壳 SOT-563 SOT-666
VCBO 50V 50V
工作温度 -55°C~150°C -65°C~150°C
VEBO 5V 5V
尺寸 - 1.6*1.2*0.55
集电极连续电流 100mA 100mA
直流电流增益hFE 100 200
集电极-发射极最大电压VCEO 50V 50V
晶体管类型 NPN NPN+PNP
R1 4.7K Ohms -
库存与单价
库存 8,000 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
90+ :  ¥1.8399
100+ :  ¥1.7153
300+ :  ¥1.0637
500+ :  ¥0.9746
1,000+ :  ¥0.8652
4,000+ :  ¥0.7956
5,000+ :  ¥0.7956
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
EMH3T2R ROHM Semiconductor  数据手册 BJT三极管

SOT-563 150mW 50V 100mA 300mV 100 250MHz NPN

¥1.8399 

阶梯数 价格
90: ¥1.8399
100: ¥1.7153
300: ¥1.0637
500: ¥0.9746
1,000: ¥0.8652
4,000: ¥0.7956
5,000: ¥0.7956
8,000 当前型号
PEMD6,115 Nexperia  数据手册 BJT三极管

SOT-666 300mW 50V 100mA 100mV 200 NPN+PNP

暂无价格 0 对比
PEMH7,115 Nexperia  数据手册 BJT三极管

SOT-666 300mW 50V 100mA 100mV 200 2NPN

暂无价格 0 对比

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