| 型号 | EMH3T2R | PEMD6,115 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A33-EMH3T2R | A-PEMD6,115 |
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Nexperia |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT666 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散Pd | 150mW | 300mW |
| 特征频率fT | 250MHz | - |
| 集电极-射极饱和电压 | 300mV | 100mV |
| 封装/外壳 | SOT-563 | SOT-666 |
| VCBO | 50V | 50V |
| 工作温度 | -55°C~150°C | -65°C~150°C |
| 集电极电流Ic | 100mA | 100mA |
| VEBO | 5V | 5V |
| 尺寸 | - | 1.6*1.2*0.55 |
| 集电极-发射极Vceo | 50V | 50V |
| 直流电流增益hFE | 100 | 200 |
| 晶体管类型 | NPN | NPN+PNP |
| R1 | 4.7K Ohms | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
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