| 型号 | EMX52T2R | VT6X12T2R | ||||||||||||
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| 唯样编号 | A33-EMX52T2R-0 | A3-VT6X12T2R | ||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor | ||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 | ||||||||||||
| 描述 | ||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-563 | VMT6 | ||||||||||||
| 功率耗散Pd | 150mW | 150mW | ||||||||||||
| VCBO | 50V | 50V | ||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C | ||||||||||||
| 特征频率fT | 350MHz | 350MHz | ||||||||||||
| VEBO | 5V | 5V | ||||||||||||
| 集电极连续电流 | 100mA | 100mA | ||||||||||||
| 集电极-射极饱和电压 | 300mV | 300mV | ||||||||||||
| 直流电流增益hFE | 120 | 120 | ||||||||||||
| 集电极-发射极最大电压VCEO | 50V | 50V | ||||||||||||
| 晶体管类型 | NPN | NPN | ||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||
| 库存 | 8,000 | 100 | ||||||||||||
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 3 - 15天 | ||||||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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EMX52T2R | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-563 150mW 50V 100mA 300mV 120 350MHz NPN |
￥1.2841
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8,000 | 当前型号 | ||||||||||||||
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VT6X2T2R | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
VMT6 150mW 50V 100mA 300mV 120 350MHz NPN |
暂无价格 | 7,819 | 对比 | ||||||||||||||
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VT6X2T2R | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
VMT6 150mW 50V 100mA 300mV 120 350MHz NPN |
￥2.1273
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3,304 | 对比 | ||||||||||||||
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VT6X12T2R | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
VMT6 150mW 50V 100mA 300mV 120 350MHz NPN |
￥3.7137
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100 | 对比 | ||||||||||||||
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VT6X12T2R | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
VMT6 150mW 50V 100mA 300mV 120 350MHz NPN |
暂无价格 | 100 | 对比 | ||||||||||||||
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VT6X2T2R | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
VMT6 150mW 50V 100mA 300mV 120 350MHz NPN |
￥3.1659
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98 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
