RD3P050SNFRATL 与 RSD050N10TL 区别
| 型号 | RD3P050SNFRATL | RSD050N10TL |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A33-RD3P050SNFRATL | A36-RSD050N10TL |
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 5A TO252 | MOSFET N-CH 100V 5A CPT3 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散(最大值) | 15W(Tc) | 15W(Tc) |
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) | MOSFET(金属氧化物) |
| 产品特性 | 车规 | - |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 530pF @ 25V | 530pF @ 25V |
| FET类型 | N 通道 | N 通道 |
| 封装/外壳 | TO-252 | CPT3 |
| 工作温度 | 150°C(TJ) | 150°C(TJ) |
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 1mA | 2.5V @ 1mA |
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 190 毫欧 @ 5A,10V | 190 毫欧 @ 5A,10V |
| Vgs(最大值) | ±20V | ±20V |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 4V,10V | 4V,10V |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | 5A(Ta) | 5A(Ta) |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | 100V |
| 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) | 14nC @ 10V | 14nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 3 | 0 |
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 3 - 15天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
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RD3P050SNFRATL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
150°C(TJ) N 通道 TO-252 车规 |
暂无价格 | 3 | 当前型号 | ||||||||||||||||
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RSD050N10TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) N 通道 CPT3 |
￥6.6215
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4,500 | 对比 | ||||||||||||||||
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RSD050N10TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) N 通道 CPT3 |
￥6.6215
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2,145 | 对比 | ||||||||||||||||
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RSD050N10TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) N 通道 CPT3 |
￥6.6215
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530 | 对比 | ||||||||||||||||
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RSD050N10TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) N 通道 CPT3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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