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RF4P060BGTCR  与  PMPB215ENEAX  区别

型号 RF4P060BGTCR PMPB215ENEAX
唯样编号 A33-RF4P060BGTCR-1 A-PMPB215ENEAX
制造商 ROHM Semiconductor Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Nch 100V 6A, HUML2020L8, Power MOSFET PMPB215ENEA Series 80 V 1.9 A 230 mOhm N-Channel Trench MOSFET - DFN2020MD-6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 HUML2020L8 (Single) SOT1220
工作温度 - -55°C~150°C
连续漏极电流Id - 2.8A
Rds On(Max)@Id,Vgs - 230mΩ@1.9A,10V
漏源极电压Vds - 80V
输入电容 - 215pF
产品特性 - 车规
Pd-功率耗散(Max) - 1.6W
输出电容 - 25pF
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - N-Channel
库存与单价
库存 2,984 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
30+ :  ¥5.3949
50+ :  ¥3.4689
100+ :  ¥2.8269
300+ :  ¥2.3956
500+ :  ¥2.3094
1,000+ :  ¥2.2423
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RF4P060BGTCR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HUML2020L8 (Single)

¥5.3949 

阶梯数 价格
30: ¥5.3949
50: ¥3.4689
100: ¥2.8269
300: ¥2.3956
500: ¥2.3094
1,000: ¥2.2423
2,984 当前型号
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