RGW00TK65DGVC11 与 RGW00TK65GVC11 区别
| 型号 | RGW00TK65DGVC11 | RGW00TK65GVC11 | ||||||||||||||||||||||
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| 唯样编号 | A33-RGW00TK65DGVC11-0 | A33-RGW00TK65GVC11 | ||||||||||||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor | ||||||||||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||||||||||
| 分类 | IGBT晶体管 | IGBT晶体管 | ||||||||||||||||||||||
| 描述 | ||||||||||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||||||||||
| 封装/外壳 | TO-3PFM | TO-3PFM | ||||||||||||||||||||||
| 功率耗散Pd | 89W | 89W | ||||||||||||||||||||||
| 工作温度 | -40°C~175°C | -40°C~175°C | ||||||||||||||||||||||
| 集电极电流Ic | 45A | 45A | ||||||||||||||||||||||
| 栅极/发射极电压Vges | ±30V | ±30V | ||||||||||||||||||||||
| 集射极击穿电压Vces | 650V | 650V | ||||||||||||||||||||||
| 集射极饱和电压VCE(sat) | 1.5 V | 1.5 V | ||||||||||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||||||||||
| 库存 | 450 | 30 | ||||||||||||||||||||||
| 工厂交货期 | 28 - 35天 | 28 - 35天 | ||||||||||||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||||
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RGW00TK65DGVC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | IGBT晶体管 |
TO-3PFM ±30V 1.5 V 650V 45A 89W -40°C~175°C |
￥40.7827
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450 | 当前型号 | ||||||||||||||||||
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RGW00TK65GVC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | IGBT晶体管 |
TO-3PFM ±30V 1.5 V 650V 45A 89W -40°C~175°C |
￥33.2031
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30 | 对比 | ||||||||||||||||||
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RGW00TK65GVC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | IGBT晶体管 |
TO-3PFM ±30V 1.5 V 650V 45A 89W -40°C~175°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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