RPT-34PB3F 与 BPW85B 区别
| 型号 | RPT-34PB3F | BPW85B | ||||||||||||||||
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| 唯样编号 | A33-RPT-34PB3F-1 | A36-BPW85B | ||||||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Vishay | ||||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||||
| 分类 | 光电晶体管 | 光电晶体管 | ||||||||||||||||
| 描述 | RPT-34PB3F Series 800 nm 32 V 30 mA 120° Deg. Through Hole Phototransistor | |||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 不符合RoHs | ||||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||||
| 电流-暗(Id)(最大值) | - | 200nA | ||||||||||||||||
| 电流-集电极（Ic）（最大值） | 30mA | - | ||||||||||||||||
| 功率 | 3/20W | 100mW | ||||||||||||||||
| 电压-集射极击穿（最大值） | 32V | - | ||||||||||||||||
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | - | 100mA | ||||||||||||||||
| 波长 | 800nm | 850nm | ||||||||||||||||
| 封装/外壳 | 径向 | - | ||||||||||||||||
| 电压-集射极击穿(最大值) | - | 70V | ||||||||||||||||
| 工作温度 | -25°C~85°C(TA) | -40°C~100°C(TA) | ||||||||||||||||
| 方向 | - | 顶视图 | ||||||||||||||||
| 电流-暗（Id）（最大值） | 500nA | - | ||||||||||||||||
| 朝向 | 顶视图 | - | ||||||||||||||||
| 视角 | 72° | 50° | ||||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||||
| 库存 | 980 | 5,000 | ||||||||||||||||
| 工厂交货期 | 28 - 35天 | 3 - 15天 | ||||||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||||
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