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RQ3E080GNTB  与  DMG7408SFG-7  区别

型号 RQ3E080GNTB DMG7408SFG-7
唯样编号 A33-RQ3E080GNTB-0 A36-DMG7408SFG-7
制造商 ROHM Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 7A POWERDI
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 16.7mΩ@8A,10V 23mΩ@10A,10V
上升时间 3.6ns -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W 1W(Ta)
Qg-栅极电荷 5.8nC -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
典型关闭延迟时间 17.3ns -
正向跨导 - 最小值 7S -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 HSMT-8 PowerDI
连续漏极电流Id 8A 7A
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
通道数量 1Channel -
配置 Single -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 478.9pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 17nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
下降时间 2.4ns -
典型接通延迟时间 6.9ns -
库存与单价
库存 2,600 9,293
工厂交货期 21 - 28天 3 - 15天
单价(含税)
70+ :  ¥2.4531
100+ :  ¥1.8111
300+ :  ¥1.3895
500+ :  ¥1.3033
1,000+ :  ¥1.2362
90+ :  ¥0.5762
2,000+ :  ¥0.5304
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RQ3E080GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8A 2W 16.7mΩ@8A,10V 30V ±20V HSMT-8 N-Channel -55°C~150°C

¥2.4531 

阶梯数 价格
70: ¥2.4531
100: ¥1.8111
300: ¥1.3895
500: ¥1.3033
1,000: ¥1.2362
2,600 当前型号
AON7410 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP N-Channel 30V ±20V 24A 20W 20mΩ@8A,10V -55°C~150°C

暂无价格 10 对比
AON7406 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP N-Channel 30V 20V 25A 15.5W 17mΩ@10V

暂无价格 0 对比
AON7408 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP N-Channel 30V 20V 18A 11W 20mΩ@10V

暂无价格 0 对比

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