RS6N120BHTB1 与 NTMFS6H818NT1G 区别
| 型号 | RS6N120BHTB1 | NTMFS6H818NT1G | ||||||||||||
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| 唯样编号 | A33-RS6N120BHTB1-1 | A-NTMFS6H818NT1G | ||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ON Semiconductor | ||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||
| 描述 | Nch 80V 135A, HSOP8, Power MOSFET | |||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||
| 封装/外壳 | HSOP8 | SO-8FL | ||||||||||||
| 功率耗散Pd | 104W | 136W | ||||||||||||
| 连续漏极电流Id | ±135A | 123A | ||||||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~175°C | ||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 80V | 80V | ||||||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 3.3m Ohms | 3.7mΩ@20A,10V | ||||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V | ||||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||
| 库存 | 1,579 | 0 | ||||||||||||
| 工厂交货期 | 28 - 35天 | 56 - 70天 | ||||||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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RS6N120BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 N-Channel ±20V 80V ±135A 3.3m Ohms 104W |
￥15.4085
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1,579 | 当前型号 | ||||||||||||||
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NTMFS6H818NLT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
5-DFN(5x6)(8-SOFL) |
暂无价格 | 100,000 | 对比 | ||||||||||||||
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SIR120DP-T1-RE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel PowerPAK SO-8 |
￥10.62
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3,000 | 对比 | ||||||||||||||
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SI7852DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 1.9W(Ta) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 80V 7.6A(Ta) 16.5mΩ@10A,10V |
￥10.3488
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98 | 对比 | ||||||||||||||
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SIR586DP-T1-RE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
PowerPAK® SO-8 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||
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FDS3590 | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
6.5A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 39m Ohms@6.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 80V 6.5A 8-SOIC |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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