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SCT3017ALGC11  与  SCT3017ALHRC11  区别

型号 SCT3017ALGC11 SCT3017ALHRC11
唯样编号 A33-SCT3017ALGC11 A33-SCT3017ALHRC11-0
制造商 ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 SiC MOSFET SiC MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 - TO-247-3
连续漏极电流Id - 118A(Tc)
工作温度 - 175°C(TJ)
漏源极电压Vds - 650V
产品特性 - 车规
Pd-功率耗散(Max) - 427W
Vgs(最大值) - +22V,-4V
栅极电荷Qg - 172nC@18V
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 22.1mOhms@47A,18V
栅极电压Vgs - 5.6V@23.5mA
FET类型 - N-Channel
库存与单价
库存 431 156
工厂交货期 21 - 28天 21 - 28天
单价(含税)
1+ :  ¥737.9694
2+ :  ¥705.7917
3+ :  ¥695.069
4+ :  ¥689.7125
5+ :  ¥686.4928
9+ :  ¥680.7721
10+ :  ¥680.0534
20+ :  ¥676.8433
1+ :  ¥839.0158
2+ :  ¥806.8381
3+ :  ¥796.1154
4+ :  ¥790.7493
5+ :  ¥787.5392
9+ :  ¥781.8185
20+ :  ¥777.8801
30+ :  ¥776.8069
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SCT3017ALGC11 ROHM Semiconductor  数据手册 SiC MOSFET

¥737.9694 

阶梯数 价格
1: ¥737.9694
2: ¥705.7917
3: ¥695.069
4: ¥689.7125
5: ¥686.4928
9: ¥680.7721
10: ¥680.0534
20: ¥676.8433
431 当前型号
SCT3017ALHRC11 ROHM Semiconductor  数据手册 SiC MOSFET

N-Channel 118A(Tc) 5.6V@23.5mA 427W TO-247-3 175°C(TJ) 650V 车规

暂无价格 677 对比
SCT3017ALHRC11 ROHM Semiconductor  数据手册 SiC MOSFET

N-Channel 118A(Tc) 5.6V@23.5mA 427W TO-247-3 175°C(TJ) 650V 车规

¥839.0158 

阶梯数 价格
1: ¥839.0158
2: ¥806.8381
3: ¥796.1154
4: ¥790.7493
5: ¥787.5392
9: ¥781.8185
20: ¥777.8801
30: ¥776.8069
156 对比
SCT3017ALHRC11 ROHM Semiconductor  数据手册 SiC MOSFET

N-Channel 118A(Tc) 5.6V@23.5mA 427W TO-247-3 175°C(TJ) 650V 车规

¥839.0158 

阶梯数 价格
1: ¥839.0158
2: ¥806.8381
3: ¥796.1154
4: ¥790.7493
5: ¥787.5392
9: ¥781.8185
20: ¥777.8801
28 对比
SCT3017ALHRC11 ROHM Semiconductor  数据手册 SiC MOSFET

N-Channel 118A(Tc) 5.6V@23.5mA 427W TO-247-3 175°C(TJ) 650V 车规

暂无价格 0 对比

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