SCT3017ALHRC11 与 SCT3017ALGC11 区别
| 型号 | SCT3017ALHRC11 | SCT3017ALGC11 | ||||||||||||||||||
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| 唯样编号 | A33-SCT3017ALHRC11-0 | A-SCT3017ALGC11 | ||||||||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor | ||||||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||||||
| 分类 | SiC MOSFET | SiC MOSFET | ||||||||||||||||||
| 描述 | ||||||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||||||
| 封装/外壳 | TO-247-3 | - | ||||||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 118A(Tc) | - | ||||||||||||||||||
| 工作温度 | 175°C(TJ) | - | ||||||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 650V | - | ||||||||||||||||||
| 产品特性 | 车规 | - | ||||||||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 427W | - | ||||||||||||||||||
| Vgs(最大值) | +22V,-4V | - | ||||||||||||||||||
| 栅极电荷Qg | 172nC@18V | - | ||||||||||||||||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | 22.1mOhms@47A,18V | - | ||||||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | 5.6V@23.5mA | - | ||||||||||||||||||
| FET类型 | N-Channel | - | ||||||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||||||
| 库存 | 156 | 0 | ||||||||||||||||||
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 56 - 70天 | ||||||||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||||
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SCT3017ALHRC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | SiC MOSFET |
N-Channel 118A(Tc) 5.6V@23.5mA 427W TO-247-3 175°C(TJ) 650V 车规 |
￥839.0158
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156 | 当前型号 | ||||||||||||||||||
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SCT3017ALGC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | SiC MOSFET |
￥737.9694
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450 | 对比 | |||||||||||||||||||
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SCT3017ALGC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | SiC MOSFET |
￥737.9694
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431 | 对比 | |||||||||||||||||||
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SCT3017ALGC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | SiC MOSFET | 暂无价格 | 305 | 对比 | |||||||||||||||||||
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SCT3017ALGC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | SiC MOSFET |
￥428.9706
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0 | 对比 |
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