SCT4026DRC15 与 SCT4026DEC11 区别
| 型号 | SCT4026DRC15 | SCT4026DEC11 | ||||||||||||||||
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| 唯样编号 | A33-SCT4026DRC15-0 | A3-SCT4026DEC11 | ||||||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor | ||||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||||
| 分类 | SiC MOSFET | SiC MOSFET | ||||||||||||||||
| 描述 | 750V, 26mΩ, 4-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide(SiC) power MOSFET | 750V, 26mΩ, 3-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide(SiC) power MOSFET | ||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||||
| 封装/外壳 | TO-247-4L | TO-247N | ||||||||||||||||
| 工作温度 | -40°C~175°C | - | ||||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 56A | - | ||||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 34mΩ@ 29A，18V | - | ||||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 750V | - | ||||||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 176W | - | ||||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | +21V,-4V | - | ||||||||||||||||
| FET类型 | N-Channel | - | ||||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||||
| 库存 | 271 | 30 | ||||||||||||||||
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 3 - 15天 | ||||||||||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||||
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SCT4026DRC15 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | SiC MOSFET |
TO-247-4L N-Channel 34mΩ@ 29A，18V 176W -40°C~175°C +21V,-4V 750V 56A |
￥148.1344
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271 | 当前型号 | ||||||||||||||||||
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SCT4026DRHRC15 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | SiC MOSFET |
TO-247-4L 车规 |
￥150.645
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450 | 对比 | ||||||||||||||||||
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SCT4026DEC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | SiC MOSFET |
TO-247N |
￥148.1344
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400 | 对比 | ||||||||||||||||||
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SCT4026DRHRC15 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | SiC MOSFET |
TO-247-4L 车规 |
￥150.645
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195 | 对比 | ||||||||||||||||||
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SCT4026DEC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | SiC MOSFET |
TO-247N |
￥148.1344
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153 | 对比 | ||||||||||||||||||
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SCT4026DEC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | SiC MOSFET |
TO-247N |
暂无价格 | 30 | 对比 |
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