SSM3J327R,LF(B 与 SI2301CDS-T1-GE3 区别
| 型号 | SSM3J327R,LF(B | SI2301CDS-T1-GE3 | ||||||||
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| 唯样编号 | A33-SSM3J327R,LF(B-1 | A-SI2301CDS-T1-GE3 | ||||||||
| 制造商 | Toshiba | Vishay | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 未分类 | 功率MOSFET | ||||||||
| 描述 | MOSFET | |||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 112mΩ@2.8A,4.5V | ||||||||
| 漏源极电压Vds | - | -20V | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 860mW(Ta),1.6W(Tc) | ||||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±8V | ||||||||
| FET类型 | - | P-Channel | ||||||||
| 封装/外壳 | - | SOT-23-3 | ||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||
| 连续漏极电流Id | - | -3.1A | ||||||||
| 系列 | - | SI | ||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 1V @ 250µA | ||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 405pF @ 10V | ||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 10nC @ 4.5V | ||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 2.5V,4.5V | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 3,000 | 721 | ||||||||
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 3 - 5天 | ||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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SSM3J327R,LF(B | Toshiba | 未分类 |
￥1.102
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3,000 | 当前型号 | ||||||||||||
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SI2301CDS-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±8V 860mW(Ta),1.6W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 P-Channel -20V -3.1A 112mΩ@2.8A,4.5V |
暂无价格 | 721 | 对比 |
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