| 型号 | UMD3NTR | PUMD3,115 | ||||||||||||||||||
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| 唯样编号 | A33-UMD3NTR | A-PUMD3,115 | ||||||||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Nexperia | ||||||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||||||
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 | ||||||||||||||||||
| 描述 | PUMD3 Series 40 V 100 mA Surface Mount NPN/PNP Digital Transistor - SOT-363 | |||||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||||||
| R2 | 10K/10K Ohms | - | ||||||||||||||||||
| 功率耗散Pd | 150mW | 300mW | ||||||||||||||||||
| 特征频率fT | 250MHz,250MHz | 230MHz,180MHz | ||||||||||||||||||
| 集电极-射极饱和电压 | 300mV,-300mV | 150mV | ||||||||||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-363 | SOT-363 | ||||||||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -65°C~150°C | ||||||||||||||||||
| VCBO | - | 50V | ||||||||||||||||||
| 集电极电流Ic | 100mA,-100mA | 100mA | ||||||||||||||||||
| VEBO | - | 10V | ||||||||||||||||||
| 尺寸 | - | 2.1*1.25*0.95 | ||||||||||||||||||
| 集电极-发射极Vceo | 50V,-50V | 50V | ||||||||||||||||||
| 直流电流增益hFE | 30,30 | 30 | ||||||||||||||||||
| 晶体管类型 | NPN+PNP | NPN+PNP | ||||||||||||||||||
| R1 | 10K/10K Ohms | - | ||||||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||||||
| 库存 | 2,440 | 66 | ||||||||||||||||||
| 工厂交货期 | 28 - 35天 | 3 - 5天 | ||||||||||||||||||
| 单价(含税) |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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UMD3NTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 150mW 50V,-50V 100mA,-100mA NPN+PNP |
¥1.1691
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2,440 | 当前型号 | ||||||||||||
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PUMD3,115 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 300mW 50V 100mA NPN+PNP |
暂无价格 | 148,525 | 对比 | ||||||||||||
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PUMD3,125 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 300mW 50V 100mA NPN+PNP |
¥0.8185
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15,000 | 对比 | ||||||||||||
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DCX114EU-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 200mW 50V 100mA NPN+PNP |
暂无价格 | 3,000 | 对比 | ||||||||||||
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PUMD30,115 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 300mW 50V 100mA 车规 NPN+PNP |
¥0.6047
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168 | 对比 | ||||||||||||
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PUMD3,115 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 300mW 50V 100mA NPN+PNP |
¥1.105
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66 | 对比 |