2DB1386R-13 与 2SB1412TLQ 区别
| 型号 | 2DB1386R-13 | 2SB1412TLQ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-2DB1386R-13 | A33-2SB1412TLQ | ||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | ROHM Semiconductor | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 | ||||||
| 描述 | 2SB1412 Series 20 V 5 A SMT PNP Low Frequency Transistor - SC-63 | |||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| 功率耗散Pd | 1W | - | ||||||
| 电流-集电极截止（最大值） | - | 500nA(ICBO) | ||||||
| 功率 | - | 1W | ||||||
| 特征频率fT | 100MHz | - | ||||||
| 集电极-射极饱和电压 | -1V | - | ||||||
| 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值） | - | 1V @ 100mA,4A | ||||||
| 封装/外壳 | SOT-89 | CPT | ||||||
| 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值） | - | 120 @ 500mA,2V | ||||||
| VCBO | -30V | - | ||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | 150°C(TJ) | ||||||
| 集电极电流Ic | -5A | - | ||||||
| 频率-跃迁 | - | 120MHz | ||||||
| 集电极_发射极击穿电压VCEO | - | 20V | ||||||
| VEBO | -6V | - | ||||||
| 集电极最大允许电流Ic | - | 5A | ||||||
| 集电极-发射极Vceo | -20V | - | ||||||
| 直流电流增益hFE | 180 | - | ||||||
| 晶体管类型 | PNP | PNP | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 24 | 1,990 | ||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 28 - 35天 | ||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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2DB1386R-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-89 1W -20V -5A PNP |
暂无价格 | 24 | 当前型号 | ||||||||
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2SB1412TLQ | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
CPT PNP |
￥1.7057
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1,990 | 对比 | ||||||||
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BC869-16,115 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-89 1.35W -20V -2A 车规 PNP |
￥0.7761
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685 | 对比 | ||||||||
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2SB1386T100R | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SC-62 500mW -20V -5A PNP |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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BC869-25,115 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-89 1.35W -20V -2A 车规 PNP |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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2SB1386T100R | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SC-62 500mW -20V -5A PNP |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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