2N7002E-7-F 与 2N7002LT1G 区别
| 型号 | 2N7002E-7-F | 2N7002LT1G | ||||||||||
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| 唯样编号 | A36-2N7002E-7-F | A36-2N7002LT1G | ||||||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | ON Semiconductor | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 小信号MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 250MA SOT23-3 | |||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 7.5Ω@0.5A,10V | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | 60V | 60V | ||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 370mW(Ta) | 0.3W | ||||||||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | 3Ω@250mA,10V | - | ||||||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 50 pF @ 25 V | - | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V | ||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 0.22 nC @ 4.5 V | - | ||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-23-3 | SOT-23 | ||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | 250mA(Ta) | 0.115A | ||||||||||
| 驱动电压 | 4.5V,10V | - | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 647 | 47,223 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||||
| 单价(含税) |
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| 购买数量 | ||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
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2N7002E-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
N-Channel 370mW(Ta) ±20V SOT-23-3 -55°C~150°C(TJ) 60V 250mA(Ta) |
¥0.2235
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647 | 当前型号 | ||||
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2N7002ET1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
2.5Ω@0.24A,10V ±20V SOT-23 -55°C~150°C 0.26A 60V 0.3W N-Channel |
暂无价格 | 200,000 | 对比 | ||||
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2N7002LT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
7.5Ω@0.5A,10V ±20V SOT-23 -55°C~150°C 0.115A 60V 0.3W N-Channel |
暂无价格 | 117,000 | 对比 | ||||
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2N7002ET1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
2.5Ω@0.24A,10V ±20V SOT-23 -55°C~150°C 0.26A 60V 0.3W N-Channel |
暂无价格 | 39,600 | 对比 | ||||
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2N7002KT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±20V 350mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) SOT-23 1.6Ω@500mA,10V N-Channel 60V 320mA(Ta) |
暂无价格 | 26,423 | 对比 | ||||
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2N7002,215 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
N-Channel 0.83W -65°C~150°C ±30V 60V 0.3A SOT-23 |
暂无价格 | 3,481 | 对比 |