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AO3424  与  MGSF2N02ELT1G  区别

型号 AO3424 MGSF2N02ELT1G
唯样编号 A36-AO3424 A36-MGSF2N02ELT1G
制造商 AOS ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 18 -
功率 - 1.25W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 55mΩ@3.8A,10V 85 毫欧 @ 3.6A,4.5V
Rds On(Max)@4.5V 65mΩ -
Rds On(Max)@2.5V 85mΩ -
Qgd(nC) 1.6 -
栅极电压Vgs ±12V ±8V
Td(on)(ns) 3.5 -
封装/外壳 SOT23-3 SOT-23
连续漏极电流Id 3.8A 2.8A(Ta)
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
Ciss(pF) 235 -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 2.5V,4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 150pF @ 5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
Trr(ns) 8.5 -
Td(off)(ns) 17.5 -
漏源极电压Vds 30V 20V
Pd-功率耗散(Max) 1.4W -
Qrr(nC) 2.6 -
VGS(th) 1.5 -
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 150pF @ 5V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 3.5nC @ 4V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 3.5nC @ 4V
Coss(pF) 35 -
Qg*(nC) 4.7 -
库存与单价
库存 2,110 1,528
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
90+ :  ¥0.5753
200+ :  ¥0.4394
1,500+ :  ¥0.3822
40+ :  ¥1.408
100+ :  ¥1.0802
750+ :  ¥0.8998
1,500+ :  ¥0.8184
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AO3424 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT23-3 N-Channel 30V ±12V 3.8A 1.4W 55mΩ@3.8A,10V -55°C~150°C

¥0.5753 

阶梯数 价格
90: ¥0.5753
200: ¥0.4394
1,500: ¥0.3822
2,110 当前型号
MGSF1N02LT1G ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

SOT-23-3(TO-236)

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RTR025N03TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

12V 1W(Ta) 92mΩ@2.5A,4.5V 150°C(TJ) TSMT N-Channel 30V 2.5A

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暂无价格 0 对比

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