AO8820 与 DMN2019UTS-13 区别
| 型号 | AO8820 | DMN2019UTS-13 | ||||||||||||||||
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| 唯样编号 | A36-AO8820 | A36-DMN2019UTS-13 | ||||||||||||||||
| 制造商 | AOS | Diodes Incorporated | ||||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||||||||||
| 描述 | MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8 | |||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||||
| Crss(pF) | 52 | - | ||||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 21mΩ@7A,10V | - | ||||||||||||||||
| ESD Diode | Yes | - | ||||||||||||||||
| Rds On(Max)@1.8V | 50mΩ | - | ||||||||||||||||
| Rds On(Max)@4.5V | 24mΩ | - | ||||||||||||||||
| Rds On(Max)@2.5V | 32mΩ | - | ||||||||||||||||
| Qgd(nC) | 1 Ohms | - | ||||||||||||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 143pF @ 10V | ||||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±12V | - | ||||||||||||||||
| Td(on)(ns) | 0.2 | - | ||||||||||||||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | - | 8.8nC @ 4.5V | ||||||||||||||||
| 封装/外壳 | TSSOP-8 | 8-TSSOP | ||||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 7A | 5.4A | ||||||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||||||||
| Ciss(pF) | 500 | - | ||||||||||||||||
| Trr(ns) | 9 | - | ||||||||||||||||
| Td(off)(ns) | 7.4 | - | ||||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 20V | 20V | ||||||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 1.5W | - | ||||||||||||||||
| Qrr(nC) | 10 | - | ||||||||||||||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | - | 18.5mΩ@7A,10V | ||||||||||||||||
| VGS(th) | 1.1 | - | ||||||||||||||||
| FET类型 | N-Channel | 2 N 沟道(双)共漏 | ||||||||||||||||
| Coss(pF) | 100 | - | ||||||||||||||||
| Qg*(nC) | 6 | - | ||||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||||
| 库存 | 24,828 | 5,265 | ||||||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||||||||||
| 单价(含税) |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||||