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AOD514  与  IPD050N03LGATMA1  区别

型号 AOD514 IPD050N03LGATMA1
唯样编号 A36-AOD514 A-IPD050N03LGATMA1
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 60 -
功率耗散(最大值) - 68W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 5.9mΩ@10V -
ESD Diode No -
Rds On(Max)@4.5V 11.9mΩ -
Qgd(nC) 3.6 -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 3200pF @ 15V
栅极电压Vgs 20V -
Td(on)(ns) 7.3 -
封装/外壳 TO-252 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
连续漏极电流Id 46A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 31nC @ 10V
工作温度 - -55°C ~ 175°C(TJ)
Ciss(pF) 1187 -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 5 毫欧 @ 30A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
Schottky Diode No -
Trr(ns) 14.7 -
Td(off)(ns) 21.8 -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 50W -
Qrr(nC) 24 -
VGS(th) 2.4 -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.2V @ 250uA
25°C时电流-连续漏极(Id) - 50A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 30V
Coss(pF) 483 -
Qg*(nC) 8.8 -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOD514 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 30V 20V 46A 50W 5.9mΩ@10V

暂无价格 0 当前型号
STD86N3LH5 STMicro  数据手册 功率MOSFET

70W(Tc) 175°C(TJ) DPAK N-Channel 30V 22V 80A 5mΩ

暂无价格 0 对比
BUK9207-30B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK9207-30B_SOT428 N-Channel 167W 185℃ 1.5V 30V 75A

¥15.3792 

阶梯数 价格
400: ¥15.3792
1,000: ¥10.6064
1,250: ¥8.9885
2,500: ¥7.3676
0 对比
IPD50N03S4L06ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD50N03S4L-06_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IPD040N03L G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD040N03LGATMA1_30V 90A 4mΩ 20V 79W N-Channel -55°C~175°C

暂无价格 0 对比
STD86N3LH5 STMicro  数据手册 功率MOSFET

70W(Tc) 175°C(TJ) DPAK N-Channel 30V 22V 80A 5mΩ

暂无价格 0 对比

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