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AON7522E  与  RQ3E150BNTB  区别

型号 AON7522E RQ3E150BNTB
唯样编号 A36-AON7522E A32-RQ3E150BNTB-6
制造商 AOS ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd 31W 2W(Ta)
ESD Diode Yes -
漏源极电压Vds 30V 30V
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 DFN 3x3 EP 8-PowerVDFN
连续漏极电流Id 34A 15A(Ta)
工作温度 -55°C~150°C 150°C(TJ)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
导通电阻Rds(On) 4mΩ@20A,10V 5.3mΩ@15A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3000pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 45nC @ 10V
库存与单价
库存 15,644 3,000
工厂交货期 3 - 15天 7 - 14天
单价(含税)
30+ :  ¥1.794
100+ :  ¥1.43
1,250+ :  ¥1.2792
2,500+ :  ¥1.2077
5,000+ :  ¥1.144
10+ :  ¥7.126
100+ :  ¥4.2044
500+ :  ¥3.7769
1,000+ :  ¥3.4204
3,000+ :  ¥2.8505
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AON7522E AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP N-Channel 30V ±20V 34A 31W 4mΩ@20A,10V -55°C~150°C

¥1.794 

阶梯数 价格
30: ¥1.794
100: ¥1.43
1,250: ¥1.2792
2,500: ¥1.2077
5,000: ¥1.144
15,644 当前型号
DMN3008SFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI3333-8

¥1.664 

阶梯数 价格
40: ¥1.664
50: ¥1.2701
2,000: ¥1.1726
2,315 对比
DMN3008SFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI3333-8

暂无价格 2,000 对比
RQ3E150BNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 15A(Ta) ±20V 2W(Ta) 5.3mΩ@15A,10V 150°C(TJ) 8-PowerVDFN

¥6.9821 

阶梯数 价格
1: ¥6.9821
100: ¥4.0357
1,500: ¥2.5586
3,000: ¥1.8499
100 对比
RQ3E150BNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 15A(Ta) ±20V 2W(Ta) 5.3mΩ@15A,10V 150°C(TJ) 8-PowerVDFN

暂无价格 100 对比
IRFH5304TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V -55°C~150°C(TJ) 3.6W(Ta),46W(Tc) 4.5mΩ@47A,10V N-Channel 30V 22A 8-PQFN(5x6)

暂无价格 0 对比

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