BC847BVC-7 与 EMX52T2R 区别
| 型号 | BC847BVC-7 | EMX52T2R | ||||||||||||||
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| 唯样编号 | A36-BC847BVC-7 | A-EMX52T2R | ||||||||||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | ROHM Semiconductor | ||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||
| 分类 | 达林顿晶体管 | BJT三极管 | ||||||||||||||
| 描述 | TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT563 | |||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||
| 功率耗散Pd | - | 150mW | ||||||||||||||
| 功率 | 150mW | - | ||||||||||||||
| 特征频率fT | 100MHz | 350MHz | ||||||||||||||
| ICBO | 15nA(ICBO) | - | ||||||||||||||
| 集电极-射极饱和电压 | 300mV @ 5mA,100mA | 300mV | ||||||||||||||
| FET类型 | NPN/NPN | - | ||||||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-563 | SOT-563 | ||||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C | ||||||||||||||
| VCBO | - | 50V | ||||||||||||||
| VEBO | - | 5V | ||||||||||||||
| 集电极连续电流 | 100mA | 100mA | ||||||||||||||
| 直流电流增益hFE | 200 @ 2mA,5V | 120 | ||||||||||||||
| 集电极-发射极最大电压VCEO | 45V | 50V | ||||||||||||||
| 晶体管类型 | - | NPN | ||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||
| 库存 | 8,866 | 45 | ||||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 5天 | ||||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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BC847BVC-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 达林顿晶体管 |
￥0.5447
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8,866 | 当前型号 | |||||||||||||||
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EMX52T2R | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-563 150mW 50V 100mA 300mV 120 350MHz NPN |
￥1.2841
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8,000 | 对比 | ||||||||||||||
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EMX52T2R | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-563 150mW 50V 100mA 300mV 120 350MHz NPN |
￥1.2841
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6,336 | 对比 | ||||||||||||||
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BC847BV,115 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-666 200mW 45V 100mA 300mV 200 100MHz NPN |
暂无价格 | 4,000 | 对比 | ||||||||||||||
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EMX52T2R | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-563 150mW 50V 100mA 300mV 120 350MHz NPN |
暂无价格 | 420 | 对比 | ||||||||||||||
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EMX52T2R | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-563 150mW 50V 100mA 300mV 120 350MHz NPN |
￥0.7387
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45 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
