BC856W,115 与 BC856BWT1G 区别
| 型号 | BC856W,115 | BC856BWT1G | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-BC856W,115-1 | A36-BC856BWT1G | ||
| 制造商 | Nexperia | ON Semiconductor | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 | ||
| 描述 | TRANS PNP 65V 100MA SOT323 | |||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| 功率耗散Pd | 200mW | - | ||
| 电流-集电极截止（最大值） | - | 15nA(ICBO) | ||
| 电流-集电极（Ic）（最大值） | - | 100mA | ||
| 功率 | - | 3/20W | ||
| 特征频率fT | 100MHz | - | ||
| 集电极-射极饱和电压 | -600mV | - | ||
| 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值） | - | 650mV @ 5mA,100mA | ||
| FET类型 | - | P-Channel | ||
| 封装/外壳 | SOT-323 | SC-70 | ||
| 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值） | - | 220 @ 2mA,5V | ||
| VCBO | -80V | - | ||
| 工作温度 | -65°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) | ||
| 频率-跃迁 | - | 100MHz | ||
| 集电极_发射极击穿电压VCEO | - | 65V | ||
| VEBO | -5V | - | ||
| 尺寸 | 2*1.25*0.95 | - | ||
| 集电极连续电流 | -100mA | - | ||
| 集电极最大允许电流Ic | - | 0.1A | ||
| 直流电流增益hFE | 125 | - | ||
| 集电极-发射极最大电压VCEO | -65V | - | ||
| 晶体管类型 | PNP | - | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 529 | 16 | ||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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BC856W,115 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-323 200mW -65V -100mA -600mV 125 100MHz PNP |
￥0.1388
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529 | 当前型号 | ||||
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BC856AW-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
650mV 125 SOT-323 200mW 65V 100mA 200MHz PNP |
￥0.1823
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1,620 | 对比 | ||||
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BC856AW-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
650mV 125 SOT-323 200mW 65V 100mA 200MHz PNP |
暂无价格 | 172 | 对比 | ||||
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BC856BWT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SC-70 |
暂无价格 | 16 | 对比 | ||||
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BC856AW,115 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-323 200mW -65V -100mA -600mV 125 100MHz PNP |
暂无价格 | 15 | 对比 | ||||
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BC856W,135 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-323 200mW -65V -100mA -600mV 125 100MHz PNP |
暂无价格 | 9 | 对比 |
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