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BC857BDW1T1G  与  UMT1NTN  区别

型号 BC857BDW1T1G UMT1NTN
唯样编号 A36-BC857BDW1T1G-1 A3-UMT1NTN
制造商 ON Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 BJT三极管 BJT三极管
描述 UMT1N Series 50 V 150 mA Dual PNP General Purpose Isolated Transistor-SOT-363
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 SOT-363-6 SOT-363
功率耗散Pd - 150mW
VCBO - -60V
工作温度 - -55°C~150°C
集电极电流Ic - -150mA
特征频率fT - 140MHz
VEBO - -6V
集电极-射极饱和电压 - -500mV
集电极-发射极Vceo - -50V
直流电流增益hFE - 120
晶体管类型 - PNP
库存与单价
库存 992 12,070
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
250+ :  ¥0.2073
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BC857BDW1T1G ON Semiconductor  数据手册 BJT三极管

SOT-363-6

¥0.2073 

阶梯数 价格
250: ¥0.2073
992 当前型号
BC857BS-7-F Diodes Incorporated  数据手册 BJT三极管

SOT-363 200mW -45V -100mA PNP

暂无价格 45,000 对比
MMDT4403-7-F Diodes Incorporated  数据手册 BJT三极管

SOT-363

¥0.4508 

阶梯数 价格
120: ¥0.4508
200: ¥0.2903
3,000: ¥0.258
13,389 对比
UMT1NTN ROHM Semiconductor  数据手册 BJT三极管

SOT-363 150mW -50V -150mA PNP

暂无价格 12,070 对比
BC857BV,115 Nexperia  数据手册 BJT三极管

SOT-666 300mW -45V -100mA PNP

¥2.1456 

阶梯数 价格
710: ¥2.1456
1,000: ¥1.5893
2,000: ¥1.3027
4,000: ¥1.1328
12,000 对比
DMMT3906W-7-F Diodes Incorporated  数据手册 BJT三极管

SOT-363 200mW -40V -200mA PNP

暂无价格 12,000 对比

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