BC857BDW1T1G 与 UMT1NTN 区别
| 型号 | BC857BDW1T1G | UMT1NTN | ||||||||||||||||
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| 唯样编号 | A36-BC857BDW1T1G | A32-UMT1NTN-13 | ||||||||||||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | ROHM Semiconductor | ||||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||||
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 | ||||||||||||||||
| 描述 | UMT1N Series 50 V 150 mA Dual PNP General Purpose Isolated Transistor-SOT-363 | |||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-363-6 | SOT-363 | ||||||||||||||||
| 功率耗散Pd | - | 150mW | ||||||||||||||||
| VCBO | - | -60V | ||||||||||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C | ||||||||||||||||
| 特征频率fT | - | 140MHz | ||||||||||||||||
| VEBO | - | -6V | ||||||||||||||||
| 集电极连续电流 | - | -150mA | ||||||||||||||||
| 集电极-射极饱和电压 | - | -500mV | ||||||||||||||||
| 直流电流增益hFE | - | 120 | ||||||||||||||||
| 集电极-发射极最大电压VCEO | - | -50V | ||||||||||||||||
| 晶体管类型 | - | PNP | ||||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||||
| 库存 | 44,972 | 108,000 | ||||||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 7 - 14天 | ||||||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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BC857BDW1T1G | ON Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363-6 |
￥0.219
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44,972 | 当前型号 | ||||||||||||
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UMT1NTN | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 150mW -50V -150mA -500mV 120 140MHz PNP |
￥0.4268
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108,000 | 对比 | ||||||||||||
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BC857BS,115 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 300mW -45V -100mA -400mV 200 100MHz PNP |
￥0.3926
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106,587 | 对比 | ||||||||||||
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UMT1NTN | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 150mW -50V -150mA -500mV 120 140MHz PNP |
暂无价格 | 60,070 | 对比 | ||||||||||||
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MMDT4403-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 200mW -40V -600mA -750mV 100 200MHz 2PNP |
￥0.4508
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38,108 | 对比 | ||||||||||||
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BC857BS-13-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | 达林顿晶体管 |
￥0.4186
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30,131 | 对比 |
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