BC857BDW1T1G 与 UMT1NTN 区别
| 型号 | BC857BDW1T1G | UMT1NTN | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-BC857BDW1T1G | A36-UMT1NTN | ||||||||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | ROHM Semiconductor | ||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 | ||||||||||||
| 描述 | UMT1N Series 50 V 150 mA Dual PNP General Purpose Isolated Transistor-SOT-363 | |||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-363-6 | SOT-363 | ||||||||||||
| 功率耗散Pd | - | 150mW | ||||||||||||
| VCBO | - | -60V | ||||||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C | ||||||||||||
| 特征频率fT | - | 140MHz | ||||||||||||
| VEBO | - | -6V | ||||||||||||
| 集电极连续电流 | - | -150mA | ||||||||||||
| 集电极-射极饱和电压 | - | -500mV | ||||||||||||
| 直流电流增益hFE | - | 120 | ||||||||||||
| 集电极-发射极最大电压VCEO | - | -50V | ||||||||||||
| 晶体管类型 | - | PNP | ||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||
| 库存 | 62,997 | 62,936 | ||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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BC857BDW1T1G | ON Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363-6 |
￥0.219
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62,997 | 当前型号 | ||||||||||
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UMT1NTN | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 150mW -50V -150mA -500mV 120 140MHz PNP |
￥0.4879
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62,936 | 对比 | ||||||||||
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UMT1NTN | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 150mW -50V -150mA -500mV 120 140MHz PNP |
暂无价格 | 60,070 | 对比 | ||||||||||
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MMDT4403-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 200mW -40V -600mA -750mV 100 200MHz 2PNP |
￥0.4508
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38,318 | 对比 | ||||||||||
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BC857BS-13-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | 达林顿晶体管 |
￥0.4186
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20,131 | 对比 | |||||||||||
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BC857BS,115 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 300mW -45V -100mA -400mV 200 100MHz PNP |
￥0.3926
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9,088 | 对比 |
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