BPW85B 与 RPT-34PB3F 区别
| 型号 | BPW85B | RPT-34PB3F | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-BPW85B | A3t-RPT-34PB3F | ||||||||
| 制造商 | Vishay | ROHM Semiconductor | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 光电晶体管 | 光电晶体管 | ||||||||
| 描述 | RPT-34PB3F Series 800 nm 32 V 30 mA 120° Deg. Through Hole Phototransistor | |||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 电流-暗(Id)(最大值) | 200nA | - | ||||||||
| 功率 | 100mW | 3/20W | ||||||||
| 电流-集电极（Ic）（最大值） | - | 30mA | ||||||||
| 电压-集射极击穿（最大值） | - | 32V | ||||||||
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA | - | ||||||||
| 波长 | 850nm | 800nm | ||||||||
| 封装/外壳 | - | 径向 | ||||||||
| 电压-集射极击穿(最大值) | 70V | - | ||||||||
| 工作温度 | -40°C~100°C(TA) | -25°C~85°C(TA) | ||||||||
| 方向 | 顶视图 | - | ||||||||
| 电流-暗（Id）（最大值） | - | 500nA | ||||||||
| 朝向 | - | 顶视图 | ||||||||
| 视角 | 50° | 72° | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 5,000 | 0 | ||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||||||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BPW85B | Vishay | 数据手册 | 光电晶体管 |
￥3.003
|
5,000 | 当前型号 | |||||||||||||
|
RPT-34PB3F | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 光电晶体管 |
￥2.3956
|
2,000 | 对比 | |||||||||||||
|
|
RPT-34PB3F | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 光电晶体管 |
￥2.3956
|
980 | 对比 | |||||||||||||
|
|
RPT-34PB3F | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 光电晶体管 | 暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||||||
|
|
RPT-34PB3F | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 光电晶体管 | 暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
