DDA114EH-7 与 EMB11T2R 区别
| 型号 | DDA114EH-7 | EMB11T2R | ||||||||||||||||||
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| 唯样编号 | A36-DDA114EH-7 | A-EMB11T2R | ||||||||||||||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | ROHM Semiconductor | ||||||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||||||
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 | ||||||||||||||||||
| 描述 | TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W SOT563 | |||||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-563 | SOT-563 | ||||||||||||||||||
| R2 | 10k Ohms | 10K Ohms | ||||||||||||||||||
| 功率耗散Pd | 150mW | 150mW | ||||||||||||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C | ||||||||||||||||||
| 特征频率fT | 250MHz | 250MHz | ||||||||||||||||||
| 集电极连续电流 | 100mA | -100mA | ||||||||||||||||||
| 集电极-射极饱和电压 | 300mV | -300mV | ||||||||||||||||||
| 直流电流增益hFE | 30 | 30 | ||||||||||||||||||
| 集电极-发射极最大电压VCEO | 50V | -50V | ||||||||||||||||||
| 晶体管类型 | 2PNP | PNP | ||||||||||||||||||
| R1 | 10k Ohms | 10K Ohms | ||||||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||||||
| 库存 | 3,000 | 100 | ||||||||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 5天 | ||||||||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
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DDA114EH-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
300mV 30 SOT-563 150mW 50V 100mA 250MHz 2PNP |
￥0.6209
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3,000 | 当前型号 | ||||||||||||||||
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EMB11T2R | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-563 150mW -50V -100mA -300mV 30 250MHz PNP |
￥1.8399
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8,000 | 对比 | ||||||||||||||||
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EMB11T2R | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-563 150mW -50V -100mA -300mV 30 250MHz PNP |
￥1.8399
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8,000 | 对比 | ||||||||||||||||
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EMB11T2R | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-563 150mW -50V -100mA -300mV 30 250MHz PNP |
￥1.8399
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1,665 | 对比 | ||||||||||||||||
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EMB11T2R | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-563 150mW -50V -100mA -300mV 30 250MHz PNP |
暂无价格 | 200 | 对比 | ||||||||||||||||
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EMB11T2R | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-563 150mW -50V -100mA -300mV 30 250MHz PNP |
￥3.7074
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100 | 对比 |
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