DDTA114GE-7-F 与 PDTA114YU,115 区别
| 型号 | DDTA114GE-7-F | PDTA114YU,115 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-DDTA114GE-7-F | A36-PDTA114YU,115 | ||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | Nexperia | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 | ||||||
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT523 | PDTA114Y Series 50 V 100 mA SMT PNP Resistor-Equipped Transistor - SOT-323 | ||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| R2 | 10k Ohms | - | ||||||
| 功率耗散Pd | 150mW | 200mW | ||||||
| 特征频率fT | 250 MHz | 180MHz | ||||||
| 产品特性 | - | 带阻/预偏置 | ||||||
| 集电极-射极饱和电压 | 300mV | -100mV | ||||||
| 封装/外壳 | SOT-523 | SOT-323 | ||||||
| VCBO | - | -50V | ||||||
| 工作温度 | - | -65°C~150°C | ||||||
| VEBO | - | -6V | ||||||
| 尺寸 | - | 2*1.25*0.95 | ||||||
| 集电极连续电流 | 100mA | -100mA | ||||||
| 直流电流增益hFE | 30 | 100 | ||||||
| 集电极-发射极最大电压VCEO | 50V | -50V | ||||||
| 晶体管类型 | PNP | PNP | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 3,000 | 0 | ||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
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DDTA114GE-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
300mV 30 SOT-523 150mW 50V 100mA 250 MHz PNP |
￥0.204
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3,000 | 当前型号 | ||||||||||||||||
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DTA114TETL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-416 150mW -50V -100mA -300mV 100 250MHz PNP |
￥0.9746
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18,000 | 对比 | ||||||||||||||||
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DTA143TETL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-416 150mW -50V -100mA -300mV 100 250MHz PNP |
￥0.895
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3,000 | 对比 | ||||||||||||||||
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DTA143TETL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-416 150mW -50V -100mA -300mV 100 250MHz PNP |
￥0.895
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3,000 | 对比 | ||||||||||||||||
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PDTA114ET,215 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-23 250mW -50V -100mA -150mV 30 180MHz PNP 带阻/预偏置 |
暂无价格 | 1,800 | 对比 | ||||||||||||||||
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PDTA114EU,115 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-323 200mW -50V -100mA -150mV 30 180MHz PNP 带阻/预偏置 |
暂无价格 | 220 | 对比 |
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