DDTA115GE-7-F 与 DTA115EETL 区别
| 型号 | DDTA115GE-7-F | DTA115EETL | ||||||||||||
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| 唯样编号 | A36-DDTA115GE-7-F | A33-DTA115EETL | ||||||||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | ROHM Semiconductor | ||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 | ||||||||||||
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT523 | DTA115EE Series 50 V 100 mA Surface Mount PNP Digital Transistor - EMT-3 | ||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-523 | SOT-416 | ||||||||||||
| R2 | 100k Ohms | 100K Ohms | ||||||||||||
| 功率耗散Pd | 150mW | 150mW | ||||||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C | ||||||||||||
| 特征频率fT | 250 MHz | 250MHz | ||||||||||||
| 集电极连续电流 | 100mA | -20mA | ||||||||||||
| 集电极-射极饱和电压 | 300mV | -300mV | ||||||||||||
| 直流电流增益hFE | 82 | 82 | ||||||||||||
| 集电极-发射极最大电压VCEO | 50V | -50V | ||||||||||||
| 晶体管类型 | PNP | PNP | ||||||||||||
| R1 | - | 100K Ohms | ||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||
| 库存 | 3,000 | 2,300 | ||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 21 - 28天 | ||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
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DDTA115GE-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
300mV 82 SOT-523 150mW 50V 100mA 250 MHz PNP |
￥0.2196
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3,000 | 当前型号 | ||||||||||||||||
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DTA114TETL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-416 150mW -50V -100mA -300mV 100 250MHz PNP |
￥0.9746
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18,000 | 对比 | ||||||||||||||||
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DTA143TETL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-416 150mW -50V -100mA -300mV 100 250MHz PNP |
￥0.895
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3,000 | 对比 | ||||||||||||||||
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DTA143TETL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-416 150mW -50V -100mA -300mV 100 250MHz PNP |
￥0.895
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3,000 | 对比 | ||||||||||||||||
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DTA115EETL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-416 150mW -50V -20mA -300mV 82 250MHz PNP |
￥0.2703
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2,300 | 对比 | ||||||||||||||||
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DTA143TETL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-416 150mW -50V -100mA -300mV 100 250MHz PNP |
暂无价格 | 130 | 对比 |
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