DDTC115TE-7-F 与 DTC115TETL 区别
| 型号 | DDTC115TE-7-F | DTC115TETL | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-DDTC115TE-7-F | A33-DTC115TETL | ||||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | ROHM Semiconductor | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 | ||||||||
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523 | |||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 不符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 功率耗散Pd | 150mW | - | ||||||||
| 电流-集电极截止（最大值） | - | 500nA(ICBO) | ||||||||
| 功率 | - | 3/20W | ||||||||
| 特征频率fT | 250 MHz | - | ||||||||
| 电阻器-基底（R1）（欧姆） | - | 100k | ||||||||
| 集电极-射极饱和电压 | 300mV | - | ||||||||
| 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值） | - | 300mV @ 100µA,1mA | ||||||||
| 封装/外壳 | SOT-523 | EMT | ||||||||
| 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值） | - | 100 @ 1mA,5V | ||||||||
| 频率-跃迁 | - | 250MHz | ||||||||
| 集电极_发射极击穿电压VCEO | - | 50V | ||||||||
| 集电极连续电流 | 100mA | - | ||||||||
| 集电极最大允许电流Ic | - | 100mA | ||||||||
| 直流电流增益hFE | 100 | - | ||||||||
| 集电极-发射极最大电压VCEO | 50V | - | ||||||||
| 晶体管类型 | NPN | NPN | ||||||||
| R1 | 100k Ohms | - | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 4,153 | 2,950 | ||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 21 - 28天 | ||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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DDTC115TE-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
300mV 100 SOT-523 150mW 50V 100mA 250 MHz NPN |
￥0.1926
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4,153 | 当前型号 | ||||||||||
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DTC114TETL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-416 150mW 50V 100mA 300mV 100 250MHz NPN |
暂无价格 | 6,200 | 对比 | ||||||||||
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DTC115EETL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-416 150mW 50V 100mA 300mV 82 250MHz NPN |
￥0.5967
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5,860 | 对比 | ||||||||||
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DTC143TETL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-416 150mW 50V 100mA 150mV 100 250MHz NPN |
￥0.6347
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3,000 | 对比 | ||||||||||
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DTC143TETL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-416 150mW 50V 100mA 150mV 100 250MHz NPN |
￥0.8024
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3,000 | 对比 | ||||||||||
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DTC115TETL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
EMT NPN |
￥0.2703
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2,950 | 对比 |
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