DMN3030LSS-13 与 AO4496 区别
| 型号 | DMN3030LSS-13 | AO4496 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-DMN3030LSS-13 | A36-AO4496 | ||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | AOS | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||
| 描述 | ||||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| Crss(pF) | - | 55 | ||||||
| Td(off)(ns) | - | 24 | ||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 18mΩ@9A,10V | 19.5mΩ@10A,10V | ||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||
| Rds On(Max)@4.5V | - | 26mΩ | ||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 2.5W(Ta) | 3.1W | ||||||
| Qrr(nC) | - | 14 | ||||||
| VGS(th) | - | 2.5 | ||||||
| Qgd(nC) | - | 2.2 | ||||||
| 栅极电压Vgs | ±25V | ±20V | ||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||
| Td(on)(ns) | - | 5 | ||||||
| 封装/外壳 | SO | SO-8 | ||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C | ||||||
| 连续漏极电流Id | 9A | 10A | ||||||
| Ciss(pF) | - | 550 | ||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.1V @ 250µA | - | ||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 741pF @ 15V | - | ||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 25nC @ 10V | - | ||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - | ||||||
| Trr(ns) | - | 22 Ohms | ||||||
| Coss(pF) | - | 110 | ||||||
| Qg*(nC) | - | 4.6 | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 0 | 2,709 | ||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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DMN3030LSS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±25V 2.5W(Ta) 18mΩ@9A,10V -55°C~150°C(TJ) SO N-Channel 30V 9A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||
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AO4496 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V ±20V 10A 3.1W 19.5mΩ@10A,10V -55°C~150°C |
￥0.6061
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2,709 | 对比 | ||||||||
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AO4496 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V ±20V 10A 3.1W 19.5mΩ@10A,10V -55°C~150°C |
￥1.6031
|
0 | 对比 |
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