DMN3150L-7 与 PMV100ENEAR 区别
| 型号 | DMN3150L-7 | PMV100ENEAR | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-DMN3150L-7 | A36-PMV100ENEAR | ||||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | Nexperia | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 小信号MOSFET | ||||||||
| 描述 | MOSFET | MOSFET N-CH 30V 3A TO236AB | ||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 宽度 | 1.3 mm | - | ||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 85mΩ@3.6A,4.5V | - | ||||||||
| 上升时间 | 3.49 ns | - | ||||||||
| 产品特性 | - | 车规 | ||||||||
| 栅极电压Vgs | ±12V | 20V,1.5V | ||||||||
| 封装/外壳 | SOT-23 | SOT23 | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | 150°C | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 3.8A | 3A | ||||||||
| 配置 | Single | - | ||||||||
| 长度 | 2.9 mm | - | ||||||||
| 输入电容 | - | 160pF | ||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 2.5V,10V | - | ||||||||
| 高度 | 1 mm | - | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 28V | 30V | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 1.4W(Ta) | 0.46W | ||||||||
| 输出电容 | - | 33pF | ||||||||
| 典型关闭延迟时间 | 15.02 ns | - | ||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||
| 系列 | DMN | - | ||||||||
| 通道数量 | 1 Channel | - | ||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1.4V @ 250µA | - | ||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 305pF @ 5V | - | ||||||||
| Rds On(max)@Id,Vgs | - | 100mΩ@4.5V,72mΩ@10V | ||||||||
| 典型接通延迟时间 | 1.14 ns | - | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 3,314 | 0 | ||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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DMN3150L-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 1.4W(Ta) 85mΩ@3.6A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 28V 3.8A |
￥0.6204
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3,314 | 当前型号 | ||||||||||
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RTR025N03TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
12V 1W(Ta) 92mΩ@2.5A,4.5V 150°C(TJ) TSMT N-Channel 30V 2.5A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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PMV100ENEAR | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT23 N-Channel 0.46W 150°C 20V,1.5V 30V 3A 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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