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DTC114EKAT146  与  MMUN2214LT1G  区别

型号 DTC114EKAT146 MMUN2214LT1G
唯样编号 A36-DTC114EKAT146 A36-MMUN2214LT1G
制造商 ROHM Semiconductor ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 BJT三极管 BJT三极管
描述 MMUN Series 50 V 100 mA 10 kOhm NPN Silicon Bias Resistor Transistor - SOT-23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
R2 10K Ohms -
功率耗散Pd 200mW -
电流-集电极截止(最大值) - 500nA
功率 - 0.246W
特征频率fT 250MHz -
产品特性 - 带阻/预偏置
电阻器-基底(R1)(欧姆) - 10k
电阻器-发射极基底(R2)(欧姆) - 47K Ohms
集电极-射极饱和电压 300mV -
不同 Ib,Ic时的 Vce饱和值(最大值) - 250mV @ 300µA,10mA
封装/外壳 SOT-346 SOT-23
不同 Ic,Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) - 80 @ 5mA,10V
工作温度 -55°C~150°C -
集电极电流Ic 50mA -
集电极_发射极击穿电压VCEO - 50V
集电极最大允许电流Ic - 100mA
集电极-发射极Vceo 50V -
直流电流增益hFE 30 -
晶体管类型 NPN NPN
R1 10K Ohms -
库存与单价
库存 292,467 25,592
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
90+ :  ¥0.5899
200+ :  ¥0.27
1,500+ :  ¥0.1679
3,000+ :  ¥0.1332
90+ :  ¥0.6193
200+ :  ¥0.282
1,500+ :  ¥0.177
3,000+ :  ¥0.1395
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DTC114EKAT146 ROHM Semiconductor  数据手册 BJT三极管

SOT-346 200mW 50V 50mA NPN

¥0.5899 

阶梯数 价格
90: ¥0.5899
200: ¥0.27
1,500: ¥0.1679
3,000: ¥0.1332
292,467 当前型号
PDTC114ET,215 Nexperia  数据手册 BJT三极管

SOT-23 250mW 50V 100mA NPN

¥0.2265 

阶梯数 价格
230: ¥0.2265
1,500: ¥0.1418
3,000: ¥0.1125
146,952 对比
PDTC114ET,235 Nexperia  数据手册 BJT三极管

SOT-23 250mW 50V 100mA NPN

暂无价格 50,000 对比
PDTC143ET,215 Nexperia  数据手册 BJT三极管

SOT-23 250mW 50V 100mA NPN

¥0.5654 

阶梯数 价格
90: ¥0.5654
200: ¥0.258
1,500: ¥0.1605
3,000: ¥0.1275
32,233 对比
PDTC124ET,215 Nexperia  数据手册 BJT三极管

SOT-23 250mW 50V 100mA NPN

¥0.216 

阶梯数 价格
240: ¥0.216
1,500: ¥0.186
3,000: ¥0.165
26,200 对比
MMUN2214LT1G ON Semiconductor  数据手册 BJT三极管

SOT-23 NPN 带阻/预偏置

¥0.6193 

阶梯数 价格
90: ¥0.6193
200: ¥0.282
1,500: ¥0.177
3,000: ¥0.1395
25,592 对比

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