DTC143ZET1G 与 DDTC143ZE-7-F 区别
| 型号 | DTC143ZET1G | DDTC143ZE-7-F |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-DTC143ZET1G-1 | A3-DDTC143ZE-7-F |
| 制造商 | ON Semiconductor | Diodes Incorporated |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA | - |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 500nA | - |
| 功率 | 1/5W | - |
| 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） | 80 @ 5mA,10V | - |
| 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） | 250mV @ 1mA,10mA | - |
| 产品特性 | - | 带阻/预偏置 |
| 电阻器-基底（R1）（欧姆） | 4.7k | - |
| 电阻器-发射极基底（R2）（欧姆） | 47K Ohms | - |
| 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 1mA,10mA | - |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V | - |
| FET类型 | NPN | - |
| 电流 - 集电极（Ic）（最大值） | 100mA | - |
| 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值） | 80 @ 5mA,10V | - |
| 封装/外壳 | SOT-416 | SOT-523 |
| 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） | 4.7k | - |
| 集电极_发射极击穿电压VCEO | 50V | - |
| 集电极最大允许电流Ic | 100mA | - |
| 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） | 47K Ohms | - |
| Power-Max | 200mW | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 1 | 3,000 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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DTC143ZET1G | ON Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-416 |
暂无价格 | 1 | 当前型号 | ||||||||||||
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DTC143ZETL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-416 150mW 50V 100mA NPN |
￥0.5967
|
67,782 | 对比 | ||||||||||||
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DDTC143TE-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-523 150mW 50V 100mA NPN |
￥0.1926
|
5,841 | 对比 | ||||||||||||
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DDTC143ZE-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
带阻/预偏置 SOT-523 |
暂无价格 | 3,000 | 对比 | ||||||||||||
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DTC143ZETL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-416 150mW 50V 100mA NPN |
￥0.86
|
1,617 | 对比 | ||||||||||||
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DDTC143XE-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-523 150mW 50V 100mA NPN |
￥0.2037
|
477 | 对比 |
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