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DTC143ZET1G  与  DTC143ZETL  区别

型号 DTC143ZET1G DTC143ZETL
唯样编号 A36-DTC143ZET1G A3-DTC143ZETL
制造商 ON Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 BJT三极管 BJT三极管
描述 DTC143ZE Series 50 V 100 mA Surface Mount NPN Digital Transistor - EMT-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
电流-集电极截止(最大值) 500nA -
电流 - 集电极截止(最大值) 500nA -
功率 1/5W -
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 5mA,10V -
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) 250mV @ 1mA,10mA -
电压 - 集射极击穿(最大值) 50V -
电流 - 集电极(Ic)(最大值) 100mA -
封装/外壳 SOT-416 SOT-416
工作温度 - -55°C~150°C
Power-Max 200mW -
晶体管类型 - NPN
R1 - 4.7K Ohms
R2 - 47K Ohms
功率耗散Pd - 150mW
特征频率fT - 250MHz
电阻器-基底(R1)(欧姆) 4.7k -
电阻器-发射极基底(R2)(欧姆) 47K Ohms -
集电极-射极饱和电压 - 300mV
不同 Ib,Ic时的 Vce饱和值(最大值) 250mV @ 1mA,10mA -
FET类型 NPN -
不同 Ic,Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 5mA,10V -
电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 4.7k -
集电极_发射极击穿电压VCEO 50V -
集电极连续电流 - 100mA
集电极最大允许电流Ic 100mA -
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 47K Ohms -
直流电流增益hFE - 80
集电极-发射极最大电压VCEO - 50V
库存与单价
库存 2,945 100
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
240+ :  ¥0.2115
1,500+ :  ¥0.1325
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DTC143ZET1G ON Semiconductor  数据手册 BJT三极管

SOT-416

¥0.2115 

阶梯数 价格
240: ¥0.2115
1,500: ¥0.1325
2,945 当前型号
DTC143ZETL ROHM Semiconductor  数据手册 BJT三极管

SOT-416 150mW 50V 100mA 300mV 80 250MHz NPN

¥0.9746 

阶梯数 价格
160: ¥0.9746
300: ¥0.7359
500: ¥0.5967
1,000: ¥0.5876
4,000: ¥0.4936
5,000: ¥0.4936
10,000: ¥0.4819
30,000: ¥0.4819
107,639 对比
DTC143ZETL ROHM Semiconductor  数据手册 BJT三极管

SOT-416 150mW 50V 100mA 300mV 80 250MHz NPN

¥0.2549 

阶梯数 价格
350: ¥0.2549
3,000: ¥0.0879
3,000 对比
DTC143ZETL ROHM Semiconductor  数据手册 BJT三极管

SOT-416 150mW 50V 100mA 300mV 80 250MHz NPN

暂无价格 100 对比
DTC143ZEFRATL ROHM Semiconductor  数据手册 BJT三极管

SOT-416 150mW 50V 100mA 300mV 80 250MHz 车规 NPN

暂无价格 100 对比
DTC143ZETL ROHM Semiconductor  数据手册 BJT三极管

SOT-416 150mW 50V 100mA 300mV 80 250MHz NPN

¥0.4774 

阶梯数 价格
1: ¥0.4774
100: ¥0.2549
3,000: ¥0.1843
36 对比

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