DXTN5820DFDB-7 与 2SCR562F3TR 区别
| 型号 | DXTN5820DFDB-7 | 2SCR562F3TR | ||||||||
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| 唯样编号 | A36-DXTN5820DFDB-7 | A3-2SCR562F3TR | ||||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | ROHM Semiconductor | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 | ||||||||
| 描述 | SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020- | |||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 封装/外壳 | - | DFN2020-3S | ||||||||
| 功率耗散Pd | - | 1W | ||||||||
| VCBO | - | 30V | ||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C | ||||||||
| 集电极电流Ic | - | 6A | ||||||||
| 特征频率fT | - | 270MHz | ||||||||
| VEBO | - | 6V | ||||||||
| 集电极-射极饱和电压 | - | 220mV | ||||||||
| 集电极-发射极Vceo | - | 30V | ||||||||
| 直流电流增益hFE | - | 200 | ||||||||
| 晶体管类型 | - | NPN | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 2,949 | 50 | ||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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DXTN5820DFDB-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
￥1.807
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2,949 | 当前型号 | |||||||||||||
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2SCR562F3TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
DFN2020-3S 1W 30V 6A NPN |
￥4.8458
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3,100 | 对比 | ||||||||||||
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2SCR562F3TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
DFN2020-3S 1W 30V 6A NPN |
￥3.1335
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2,750 | 对比 | ||||||||||||
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2SCR562F3TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
DFN2020-3S 1W 30V 6A NPN |
暂无价格 | 50 | 对比 | ||||||||||||
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2SCR562F3TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
DFN2020-3S 1W 30V 6A NPN |
暂无价格 | 43 | 对比 | ||||||||||||
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2SCR562F3TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
DFN2020-3S 1W 30V 6A NPN |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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