FDD86102LZ 与 DMT8012LK3-13 区别
| 型号 | FDD86102LZ | DMT8012LK3-13 | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-FDD86102LZ | A36-DMT8012LK3-13 | ||||||||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | Diodes Incorporated | ||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||||||
| 描述 | FDD86102LZ Series 100 V 8 A 22.5 mOhm N-Ch Shielded Gate PowerTrench Mosfet | MOSFET N-CH 80V 44A TO252 | ||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 | TO-252-3 | ||||||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 44A(Tc) | ||||||||||||
| 驱动电压 | - | 4.5V,10V | ||||||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 80V | ||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 2.7W(Ta) | ||||||||||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | - | 17mΩ@12A,10V | ||||||||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 1949 pF @ 40 V | ||||||||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||||||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||||||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | - | 34 nC @ 10 V | ||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||
| 库存 | 395 | 7,502 | ||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||||||
| 单价（含税） |
|
|
||||||||||||
| 购买数量 | ||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDD86102LZ | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
￥3.179
|
395 | 当前型号 | ||||||
|
BUK7227-100B,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT428 N-Channel 167W 185°C 3V 100V 48A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
|
|
PSMN025-100D,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT428 N-Channel 150W 175°C 3V 100V 47A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
|
IRFR3710ZTRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 140W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 18mΩ@33A,10V N-Channel 100V 56A D-Pak |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
|
AOD2910 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 100V ±20V 31A 53.5W 24mΩ@20A,10V -55°C~175°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
