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IXTP3N120  与  FQP4N90C  区别

型号 IXTP3N120 FQP4N90C
唯样编号 A36-IXTP3N120 A36-FQP4N90C
制造商 IXYS ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 1200 V 4.5 Ohm 200 W Power Mosfet - TO-220
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
功率 - 140W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs - 4.2 欧姆 @ 2A,10V
漏源极电压Vds - 900V
Pd-功率耗散(Max) - 140W(Tc)
栅极电压Vgs - ±30V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 4A(Tc)
系列 - QFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 960pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 22nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 960pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 22nC @ 10V
库存与单价
库存 50 0
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
3+ :  ¥20.394
50+ :  ¥19.8
暂无价格
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