LF353DR 与 BA3472FJ-GE2 区别
| 型号 | LF353DR | BA3472FJ-GE2 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-LF353DR | A-BA3472FJ-GE2 | ||||||
| 制造商 | TI | ROHM Semiconductor | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 未分类 | 运算放大器 | ||||||
| 描述 | J-FET 放大器 2 电路 8-SOIC | |||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| 封装/外壳 | 8-SOIC | 8-SOIC | ||||||
| 电压 - 电源，单/双（±） | - | 3 V ~ 36 V,±1.5 V ~ 18 V | ||||||
| 工作温度 | - | -40°C~85°C | ||||||
| 电流 - 输入偏置 | - | 100nA | ||||||
| 电流 - 输出/通道 | - | 30mA | ||||||
| 电压 - 输入失调 | - | 1.5mV | ||||||
| 压摆率 | - | 10 V/µs | ||||||
| 电流 - 电源 | - | 4mA | ||||||
| 电路数 | - | 2 | ||||||
| 增益带宽积 | - | 4MHz | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 63,020 | 0 | ||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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LF353DR | TI | 数据手册 | 未分类 |
￥0.8503
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63,020 | 当前型号 | |||||||||
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TL062IDT | STMicro | 数据手册 | 运算放大器 |
SO-8 |
暂无价格 | 82,500 | 对比 | ||||||||
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TL072IDT | STMicro | 数据手册 | 运算放大器 |
SO-8 |
暂无价格 | 7,500 | 对比 | ||||||||
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BA3472FJ-GE2 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 运算放大器 |
8-SOIC |
暂无价格 | 100 | 对比 | ||||||||
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BA3472FJ-GE2 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 运算放大器 |
8-SOIC |
暂无价格 | 10 | 对比 | ||||||||
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|
BA3472FJ-GE2 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 运算放大器 |
8-SOIC |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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