MBT3906DW1T1G 与 UMT1NTN 区别
| 型号 | MBT3906DW1T1G | UMT1NTN |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-MBT3906DW1T1G-1 | A3-UMT1NTN |
| 制造商 | ON Semiconductor | ROHM Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 |
| 描述 | UMT1N Series 50 V 150 mA Dual PNP General Purpose Isolated Transistor-SOT-363 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 封装/外壳 | - | SOT-363 |
| 功率耗散Pd | - | 150mW |
| VCBO | - | -60V |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C |
| 集电极电流Ic | - | -150mA |
| 特征频率fT | - | 140MHz |
| VEBO | - | -6V |
| 集电极-射极饱和电压 | - | -500mV |
| 集电极-发射极Vceo | - | -50V |
| 直流电流增益hFE | - | 120 |
| 晶体管类型 | - | PNP |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 4 | 12,070 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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MBT3906DW1T1G | ON Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 | 暂无价格 | 4 | 当前型号 | |||||||||
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BC857BS-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 200mW -45V -100mA PNP |
暂无价格 | 45,000 | 对比 | ||||||||
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MMDT4403-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 |
￥0.4508
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13,389 | 对比 | ||||||||
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UMT1NTN | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 150mW -50V -150mA PNP |
暂无价格 | 12,070 | 对比 | ||||||||
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DMMT3906W-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 200mW -40V -200mA PNP |
暂无价格 | 12,000 | 对比 | ||||||||
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UMT1NTN | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 150mW -50V -150mA PNP |
￥0.9954
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8,694 | 对比 |
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