MC33178DR2G 与 TL082IDT 区别
| 型号 | MC33178DR2G | TL082IDT | ||||||||||||||||
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| 唯样编号 | A36-MC33178DR2G | A36-TL082IDT | ||||||||||||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | STMicroelectronics | ||||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||||
| 分类 | 运算放大器 | 运算放大器 | ||||||||||||||||
| 描述 | TL082 Series 36 V 4 MHz General Purpose JFET Dual Operational Amplifier - SOIC-8 | |||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||||
| 电压 - 电源,单/双(±) | 4 V ~ 36 V,±2 V ~ 18 V | - | ||||||||||||||||
| 放大器类型 | - | J-FET | ||||||||||||||||
| 电流-输出/通道 | 100mA | 40mA | ||||||||||||||||
| 电压-电源,单/双(±) | 4 V ~ 36 V,±2 V ~ 18 V | 6 V ~ 36 V,±3 V ~ 18 V | ||||||||||||||||
| 电流 - 输出/通道 | 100mA | - | ||||||||||||||||
| 压摆率 | 2 V/µs | 16 V/µs | ||||||||||||||||
| 电压 - 输入失调 | 1.5mV | - | ||||||||||||||||
| 电流-输入偏置 | 100nA | 20pA | ||||||||||||||||
| 电流 - 电源 | 1.7mA | - | ||||||||||||||||
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 8-SO | ||||||||||||||||
| 工作温度 | -40°C~85°C | -40°C~105°C | ||||||||||||||||
| 电流 - 输入偏置 | 100nA | - | ||||||||||||||||
| 电压-输入失调 | 1.5mV | 3mV | ||||||||||||||||
| 电流-电源 | 1.7mA | 1.4mA | ||||||||||||||||
| 电路数 | 2 | 2 | ||||||||||||||||
| 增益带宽积 | 5MHz | 4MHz | ||||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||||
| 库存 | 20,705 | 47,100 | ||||||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||||||||||
| 单价(含税) |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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MC33178DR2G | ON Semiconductor | 运算放大器 |
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
¥0.9438
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20,705 | 当前型号 | |||||||||||||
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TL062IDT | STMicro | 数据手册 | 运算放大器 |
SO-8 |
暂无价格 | 82,500 | 对比 | ||||||||||||
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TL072IDT | STMicro | 数据手册 | 运算放大器 |
SO-8 |
暂无价格 | 7,500 | 对比 | ||||||||||||
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TS512IDT | STMicro | 数据手册 | 运算放大器 |
SO-8 |
暂无价格 | 2,500 | 对比 | ||||||||||||
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BA4580RFJ-GE2 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 运算放大器 |
8-SOIC |
¥4.6763
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766 | 对比 | ||||||||||||
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BA4580RFJ-GE2 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 运算放大器 |
8-SOIC |
¥5.7115
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50 | 对比 |