| 型号 | MJD31C-13 | MJD31CT4G | ||||||||||
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| 唯样编号 | A36-MJD31C-13-1 | A36-MJD31CT4G | ||||||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | ON Semiconductor | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 | ||||||||||
| 描述 | MJD31C Series 100 V 3 A 1.5 W NPN High Voltage Transistor - TO252 (DPAK) | |||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| 封装/外壳 | TO-252 | DPAK | ||||||||||
| 功率耗散Pd | 15W | 1.56W | ||||||||||
| VCBO | 100V | 100V | ||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -65°C~150°C | ||||||||||
| 集电极电流Ic | 3A | 3A | ||||||||||
| 特征频率fT | 3MHz | 3MHz | ||||||||||
| VEBO | 6V | 5V | ||||||||||
| 集电极-射极饱和电压 | 1.2V | 1.2V | ||||||||||
| 集电极-发射极Vceo | 100V | 100V | ||||||||||
| 直流电流增益hFE | 10 | 10 | ||||||||||
| 晶体管类型 | NPN | NPN | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 607 | 2,500 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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MJD31C-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
TO-252 15W 100V 3A NPN |
￥1.7288
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607 | 当前型号 | ||||||||||
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MJD31CT4G | ON Semiconductor | BJT三极管 |
DPAK 1.56W 100V 3A NPN |
￥2.256
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2,500 | 对比 |
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