MMBF170LT1G 与 BSH111BKR 区别
| 型号 | MMBF170LT1G | BSH111BKR | ||||||||||||
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| 唯样编号 | A36-MMBF170LT1G | A3n-BSH111BKR | ||||||||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | Nexperia | ||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||
| 分类 | MOSFET | 小信号MOSFET | ||||||||||||
| 描述 | Single N-Channel 55 V 364 mW 0.5 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-23 | |||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-23 | SOT23 | ||||||||||||
| 功率耗散Pd | - | 0.302W | ||||||||||||
| 工作温度 | - | 150°C | ||||||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 0.21A | ||||||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 55V | ||||||||||||
| 输入电容 | - | 19.1pF | ||||||||||||
| 导通电阻Rds(On) | - | 4Ω@200mA,4.5V | ||||||||||||
| 输出电容 | - | 2.7pF | ||||||||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±10V | ||||||||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||
| 库存 | 14,555 | 300,000 | ||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 7 - 14天 | ||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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MMBF170LT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SOT-23 |
￥0.5278
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14,555 | 当前型号 | ||||||||||
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2N7002,215 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
N-Channel 5Ω@500mA,10V 0.83W -65°C~150°C ±30V 60V 0.3A SOT-23 |
暂无价格 | 1,137,501 | 对比 | ||||||||||
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PMBF170,215 | Nexperia | 数据手册 | JFET(结型场效应晶体管) |
￥0.2523
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300,000 | 对比 | |||||||||||
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BSH111BKR | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT23 N-Channel 4Ω@200mA,4.5V 0.302W 150°C ±10V 55V 0.21A |
￥0.2485
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300,000 | 对比 | ||||||||||
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2N7002,215 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
N-Channel 5Ω@500mA,10V 0.83W -65°C~150°C ±30V 60V 0.3A SOT-23 |
￥0.1488
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300,000 | 对比 | ||||||||||
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NX7002AK,215 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
TO-236AB N-Channel 4.5Ω@100mA,10V 0.265W -55°C~150°C ±20V 60V 0.3A |
￥0.1507
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300,000 | 对比 |
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