MMDT4413-7-F 与 BC847BPDW1T1G 区别
| 型号 | MMDT4413-7-F | BC847BPDW1T1G | ||||||
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| 唯样编号 | A36-MMDT4413-7-F | A3-BC847BPDW1T1G | ||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | ON Semiconductor | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 | ||||||
| 描述 | BC Series 45 V 100 mA NPN/PNP Silicon Dual General Purpose Transistor - SOT-363 | |||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| 封装/外壳 | SOT-363 | SOT-363 | ||||||
| 功率耗散Pd | 200mW | 0.38W | ||||||
| VCBO | 60V,-40V | 50V,-50V | ||||||
| 工作温度 | -65°C~150°C | -55°C~150°C | ||||||
| 特征频率fT | 250MHz,200MHz | 100MHz,100MHz | ||||||
| VEBO | 6V,-5V | 6V,-6V | ||||||
| 集电极连续电流 | 600mA,-600mA | 100mA,-100mA | ||||||
| 集电极-射极饱和电压 | -750mV,750mV | 600mV,-650mV | ||||||
| 直流电流增益hFE | 100,100 | 200,200 | ||||||
| 集电极-发射极最大电压VCEO | 40V,-40V | 45V,-45V | ||||||
| 晶体管类型 | NPN+PNP | NPN+PNP | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 2,803 | 0 | ||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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MMDT4413-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 200mW 40V,-40V 600mA,-600mA -750mV,750mV 100,100 250MHz,200MHz NPN+PNP |
￥0.6292
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2,803 | 当前型号 | ||||||||
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BC847BPDW1T1G | ON Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 0.38W 45V,-45V 100mA,-100mA 600mV,-650mV 200,200 100MHz,100MHz NPN+PNP |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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BC847BPDW1T1G | ON Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 0.38W 45V,-45V 100mA,-100mA 600mV,-650mV 200,200 100MHz,100MHz NPN+PNP |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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BC 847PN H6327 | Infineon | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 250mW 45V 100mA 650mV 200 250MHz NPN+PNP |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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BC 847PN H6727 | Infineon | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 250mW 45V 100mA 650mV 200 250MHz 车规 NPN+PNP |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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BC 847PN H6433 | Infineon | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 250mW 45V 100mA 650mV 200 250MHz NPN+PNP |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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